Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 166 A, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
218-3027
Herst. Teile-Nr.:
IPB027N10N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

166A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS TM 5 100-V-Leistungs-MOSFET. Er wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikationsblöcken einschließlich Or-ing, Hot-Swap und Batterie sowie für Servernetzteilanwendungen entwickelt.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)

N-Kanal, normale

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Pb-frei Beschichtung

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