Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 35 A 91 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-8953
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFR540Z
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

28.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Maximale Verlustleistung Pd

91W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Länge

6.22mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon HEXFET Leistungs-MOSFETs verwenden die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind 175 °C Sperrschichtbetriebstemperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte sich wiederholende Lawineneinstufung . Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Kfz-zugelassen

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