Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 63 A 143 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 915-5011
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-463
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR4510TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
€ 13,80
(ohne MwSt.)
€ 16,60
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Nur noch Restbestände
- Zusätzlich 10 Einheit(en) mit Versand ab 07. September 2026
- Die letzten 250 Einheit(en) mit Versand ab 14. September 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 + | € 1,38 | € 13,80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 915-5011
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-463
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR4510TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 63A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 143W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 7.49mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 143W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 7.49mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 99 A 143 W TO-252
- Infineon ISZ Typ N-Kanal 8-Pin PG-TSDSON-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 63 A TO-252
- Infineon iPB Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252