Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 99 A 143 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 257-9458
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR3636TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 257-9458
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR3636TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 99A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.3mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 143W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 99A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.3mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 143W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IRLR-Serie ist ein 60-V-Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
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