Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 63 A 143 W, 3-Pin IPAK

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RS Best.-Nr.:
262-6779
Herst. Teile-Nr.:
IRFU4510PBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

63A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

IPAK

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

143W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.39mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon bietet Vorteile wie verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA.

Verbesserte Gehäuse-Dioden-Fähigkeit dV/dt und dI/dt

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