Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 63 A 143 W, 3-Pin IPAK

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 3000 Stück)*

€ 1.725,00

(ohne MwSt.)

€ 2.070,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 03. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
3000 +€ 0,575€ 1.725,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
262-6778
Herst. Teile-Nr.:
IRFU4510PBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

63A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

IPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Maximale Verlustleistung Pd

143W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

6.73mm

Höhe

2.39mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon bietet Vorteile wie verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA.

Verbesserte Gehäuse-Dioden-Fähigkeit dV/dt und dI/dt

Verwandte Links