Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 20 A 79 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-4473
Herst. Teile-Nr.:
IRLR9343TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

170mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser digitale Infineon Audio-HEXFET wurde speziell für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen entwickelt. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen.

Er verfügt über eine sich wiederholende Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit

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