Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 40 A 52 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
214-4339
Herst. Teile-Nr.:
BSZ034N04LSATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.6mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.4mm

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon Power MOSFET ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS), wie sie in Servern und Desktops zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung und schnellschaltender DC/DC-Wandler verwendet werden.

Er bietet eine hohe Systemeffizienz

Es wurde zu 100 % auf Lawinenbildung getestet

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