Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 40 A 52 W, 8-Pin PQFN

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

€ 1.780,00

(ohne MwSt.)

€ 2.135,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 20. September 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +€ 0,356€ 1.780,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
214-4338
Herst. Teile-Nr.:
BSZ034N04LSATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.6mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon Power MOSFET ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS), wie sie in Servern und Desktops zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung und schnellschaltender DC/DC-Wandler verwendet werden.

Er bietet eine hohe Systemeffizienz

Es wurde zu 100 % auf Lawinenbildung getestet

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.