Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 40 A 52 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
214-4338
Herst. Teile-Nr.:
BSZ034N04LSATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.6mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.4 mm

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon Power MOSFET ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS), wie sie in Servern und Desktops zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung und schnellschaltender DC/DC-Wandler verwendet werden.

Er bietet eine hohe Systemeffizienz

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