STMicroelectronics SCTL35N65G2V N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 417 W, 4-Pin PowerFLAT

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213-3942
Herst. Teile-Nr.:
SCTL35N65G2V
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Serie

SCTL35N65G2V

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

67mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

417W

Durchlassspannung Vf

3.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

8.1mm

Länge

8.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

950μm

Automobilstandard

Nein

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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