STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 125 A, 8-Pin PowerFLAT

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
261-5532
Herst. Teile-Nr.:
STL120N10F8
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

125A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-Verbesserungsmodus, Standardstufe 100 V, max. 4,6 mOhm, 125 A STripFET F8-Leistungs-MOSFET in einem PowerFLAT 5x6-Gehäuse


Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics nutzt die STripFET F8-Technologie mit einer verbesserten Trench-Gate-Struktur.;Es sorgt für einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bei gleichzeitiger Reduzierung der internen Kapazitäten und der Gate-Ladung für eine schnellere und effizientere Schaltung.

Die wichtigsten Merkmale:


  • Güteklasse MSL1
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  • Betriebstemperatur: 175 °C
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  • 100%ig auf Stoßentladung geprüft

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