STMicroelectronics STL125N10F8AG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 125 A 150 W, 8-Pin PowerFLAT

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214-996
Herst. Teile-Nr.:
STL125N10F8AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

125A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

STL125N10F8AG

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der 100-V-N-Kanal-Verbesserungsmodus-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde in der STripFET-F8-Technologie entwickelt und verfügt über eine verbesserte Trunking-Gate-Struktur. Es sorgt für eine modernste Leistung für einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bei gleichzeitiger Verringerung der internen Kapazitäten und der Gate-Ladung für ein schnelleres und effizienteres Schalten.

Niedrige Gate-Ladung Qg

Belüftbares Flankengehäuse

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