STMicroelectronics SCTL35N65G2V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 417 W, 4-Pin PowerFLAT

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RS Best.-Nr.:
213-3941
Herst. Teile-Nr.:
SCTL35N65G2V
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SCTL35N65G2V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

67mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Maximale Verlustleistung Pd

417W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

3.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.95mm

Breite

8.1 mm

Länge

8.1mm

Automobilstandard

Nein

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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