Vishay SiJ128LDP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 25.5 A 22.3 W, 4-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 204-7216
- Herst. Teile-Nr.:
- SiJ128LDP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Derzeit nicht erhältlich
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- Herst. Teile-Nr.:
- SiJ128LDP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SiJ128LDP | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 22.3W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 6.25mm | |
| Länge | 5.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.14mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SiJ128LDP | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 22.3W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 6.25mm | ||
Länge 5.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.14mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat einen sehr niedrigen Qg und Qoss, um Leistungsverluste zu reduzieren und die Effizienz zu verbessern. Es hat einen sehr niedrigen Qg und Qoss, um die Verlustleistung zu reduzieren und die Effizienz zu verbessern.
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