Vishay SiJ128LDP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 25.5 A 22.3 W, 4-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

€ 30,68

(ohne MwSt.)

€ 36,82

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 11. Oktober 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 80€ 1,534€ 30,68
100 - 180€ 1,356€ 27,12
200 - 480€ 1,32€ 26,40
500 - 980€ 1,287€ 25,74
1000 +€ 1,255€ 25,10

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
204-7217
Herst. Teile-Nr.:
SiJ128LDP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SiJ128LDP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Maximale Verlustleistung Pd

22.3W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.14mm

Länge

5.25mm

Höhe

6.25mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat einen sehr niedrigen Qg und Qoss, um Leistungsverluste zu reduzieren und die Effizienz zu verbessern. Es hat einen sehr niedrigen Qg und Qoss, um die Verlustleistung zu reduzieren und die Effizienz zu verbessern.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.