Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 110 A 65.7 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
200-6844
Herst. Teile-Nr.:
SIR150DP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

45V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.97mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.15mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.15 mm

Höhe

6.15mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SIR150DP-T1-RE3 ist ein N-Kanal-45-V-(D-S)-MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

45 V Abflussquellen-Abschaltspannung

Abgestimmt auf niedrige Qg und Qoss

100 % Rg- und UIS-getestet

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