Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 65.8 A 83.3 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
200-6865
Herst. Teile-Nr.:
SiR106ADP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

83.3W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.15mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.15mm

Breite

5.15 mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SiR106ADP-T1-RE3 ist ein N-Kanal-100-V-(D-S)-MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM

100 % Rg- und UIS-getestet

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