Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 65.8 A 83.3 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

€ 36,00

(ohne MwSt.)

€ 43,25

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 25€ 1,44€ 36,00
50 - 100€ 1,225€ 30,63
125 - 225€ 1,08€ 27,00
250 - 600€ 0,937€ 23,43
625 +€ 0,864€ 21,60

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
200-6865
Herst. Teile-Nr.:
SiR106ADP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

83.3W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.15mm

Länge

5.15mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SiR106ADP-T1-RE3 ist ein N-Kanal-100-V-(D-S)-MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM

100 % Rg- und UIS-getestet

Verwandte Links