onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 98 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
195-8970P
Herst. Teile-Nr.:
NVBG020N120SC1
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

98 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

0,028 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.3V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L


Der on Semiconductor Single N-Kanal Siliziumkarbid (SiC) MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.

Extrem niedrige Gate-Ladung (typ. QG(Tot) = 220 nC)
Niedrige effektive Ausgangskapazität
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zugelassen gemäß AEC Q101

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