onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 30 A 240 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für die verschiedenen Stromversorgungssysteme für Miniaturisierung und höhere Effizienz. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Gehäusediode des SuperFET III FRFET MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.

700 V bei TJ = 150 °C
Ultraniedrige Gatterladung (typ. QG = 62 nC)
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. COSS(eff.) = 522 pF)
Ausgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse)
Optimierte Kapazität
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Geringere Schaltverluste
Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in Brückenschaltung
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Anwendungen
Telekommunikation
Cloud-System
Industriell
Endprodukte
Stromversorgung Telekommunikation
Stromversorgung Server
EV-Ladegerät
Solar/UPS