Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-247
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	110mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	240W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	58nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	4.82 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	15.87mm
	Höhe	20.82mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-247
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 240W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 4.82 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 15.87mm
	Höhe 20.82mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet NVHL110N65S3F

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. SuperFET III MOSFET eignet sich daher sehr gut für die verschiedenen Stromversorgungssysteme zur Miniaturisierung und höheren Effizienz. SuperFET III FRFET MOSFET's optimierte Reverse Recovery Performance der Karosseriediode kann zusätzliche Komponente entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.

700 V bei TJ = 150 °C

Extrem niedrige Gatterladung (Typ. QG = 58 nC)

Geringe effektive Ausgangskapazität (Typ. COSS(eff.) = 553 pF)

PPAP-fähig

Typ. RDS(ein) = 93 mΩ

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Geringere Schaltverluste

PPAP-fähig

Anwendungen

HV DC/DC Wandler

Endprodukte

Integriertes Ladegerät

DC/DC-Wandler

onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 240 W, 3-Pin TO-247

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