onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 186-1497
- Herst. Teile-Nr.:
- NVHL027N65S3F
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 595W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 227nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.82 mm | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.87mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 595W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 227nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.82 mm | ||
Höhe 20.82mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.87mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS: nicht konform / nicht kompatibel
SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. SuperFET III MOSFET eignet sich daher sehr gut für die verschiedenen Stromversorgungssysteme zur Miniaturisierung und höheren Effizienz. SuperFET III FRFET MOSFET's optimierte Reverse Recovery Performance der Karosseriediode kann zusätzliche Komponente entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.
700 V bei TJ = 150 °C
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 259 nC)
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 1972 pF)
PPAP-fähig
Typ. RDS(ein) = 27,4 mΩ
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Geringere Schaltverluste
PPAP-fähig
Anwendungen
HV DC/DC Wandler
Endprodukte
Integriertes Ladegerät
DC/DC-Wandler
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