onsemi FCH023N65S3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 172-4612
Herst. Teile-Nr.:: FCH023N65S3-F155
Hersteller:: onsemi

onsemi FCH023N65S3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 172-4612
Herst. Teile-Nr.:: FCH023N65S3-F155
Hersteller:: onsemi

Datasheets
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	75 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	FCH023N65S3
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	23 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	595 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	222 nC bei 10 V
Länge	15.87mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.82mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	20.82mm

onsemi FCH023N65S3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247

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