onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 313 A 167 W, 8-Pin DFN

Dieser N-Kanal-MOSFET wird mit dem Advanced Power Trench ® -Prozess von ON Semiconductor hergestellt. Fortschritte in Silizium- und Dual Cool TM-Gehäusetechnologien wurden kombiniert, um den niedrigsten rDS(on) zu bieten und gleichzeitig eine ausgezeichnete Schaltleistung durch extrem niedrigen Wärmewiderstand zwischen den Bereichen zu gewährleisten.

Top- und Unterseite freigelegt in Standard 5 x 6 mm Stiftbelegung
Verbesserte Wärmeableitung durch Top- und Unterseite des Gehäuses
Extrem niedriger RDS(on)
Geringere Leitungsverluste
Geringere Kapazitäten und Gehäuseinduktivität
Geringere Schaltverluste
Anwendung
Synchroner Gleichrichter in AC/DC- und DC/DC-Netzteilen
Motorschalter
Lastschalter