onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 165 A 292 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 229-6505
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMTS4D3N15MC
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 165A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.45mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 292W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.42mm | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 165A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.45mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 292W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.42mm | ||
Breite 1.2 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor-MOSFET für industrielle Anwendungen in einem 8 x 8 mm flachen Kabelgehäuse für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung. Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion. Er wird in der Batterie des Umkehrhebels, in Schaltnetzteilen und in Netzschaltern verwendet.
Kompaktes Design
Minimierung von Leitungsverlusten
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Inspektion