onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 174 A 293 W, 8-Pin TDFN

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RS Best.-Nr.:
229-6488
Herst. Teile-Nr.:
NTMTSC4D3N15MC
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

174A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

293W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

79nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.2 mm

Länge

8.1mm

Höhe

8.5mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor-MOSFET für industrielle Anwendungen in einem 8 x 8 mm flachen Kabelgehäuse für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung. Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion. Er wird in der Batterie des Umkehrhebels, in Schaltnetzteilen und in Netzschaltern verwendet.

Kompaktes Design

Minimierung von Leitungsverlusten

Minimiert Treiberverluste

Verbesserte optische Inspektion

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