onsemi N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 175 A 293 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 229-6484
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTS4D3N15MC
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 229-6484
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTS4D3N15MC
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 175A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 293W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 1.2mm | |
| Höhe | 8.5mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 175A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 293W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 1.2mm | ||
Höhe 8.5mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten.
Minimierung von Leitungsverlusten
Hoher Peak Strom und niedrige parasitäre Induktivität
Bietet eine größere Designspanne für thermisch angegriffte Anwendungen
Reduziert Schaltspitzen