onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 135 A 245 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 229-6487
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTS6D0N15MC
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 229-6487
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTS6D0N15MC
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 135A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.4mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 245W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 8.1mm | |
| Höhe | 8.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 135A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.4mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 245W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 8.1mm | ||
Höhe 8.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.2 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten.
Minimierung von Leitungsverlusten
Hoher Peak Strom und niedrige parasitäre Induktivität
Bietet eine größere Designspanne für thermisch angegriffte Anwendungen
Reduziert Schaltspitzen