Vishay SiHB22N60EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
188-4872
Herst. Teile-Nr.:
SIHB22N60EF-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SiHB22N60EF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

182mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.41mm

Höhe

4.57mm

Breite

9.65 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

ANWENDUNGEN

Server- und Telekommunikations-Netzteile

Schaltnetzteile (SNT)

Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

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