Vishay SiHG22N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 10,80

(ohne MwSt.)

€ 12,96

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 448 Einheit(en) mit Versand ab 25. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18€ 5,40€ 10,80
20 - 48€ 4,86€ 9,72
50 - 98€ 4,59€ 9,18
100 - 198€ 4,315€ 8,63
200 +€ 4,14€ 8,28

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
188-4992
Distrelec-Artikelnummer:
304-38-849
Herst. Teile-Nr.:
SIHG22N60EF-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

SiHG22N60EF

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

182mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

20.82mm

Länge

15.87mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

ANWENDUNGEN

Server- und Telekommunikations-Netzteile

Schaltnetzteile (SNT)

Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Verwandte Links