Vishay SiHP22N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 19,10

(ohne MwSt.)

€ 22,90

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 4 685 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20€ 3,82€ 19,10
25 - 45€ 3,436€ 17,18
50 - 120€ 3,248€ 16,24
125 - 245€ 3,056€ 15,28
250 +€ 2,868€ 14,34

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
188-4996
Herst. Teile-Nr.:
SIHP22N60EF-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

SiHP22N60EF

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

182mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.51mm

Höhe

9.01mm

Breite

4.65 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

ANWENDUNGEN

Server- und Telekommunikations-Netzteile

Schaltnetzteile (SNT)

Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Verwandte Links