Vishay SiHP22N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

€ 65,45

(ohne MwSt.)

€ 78,55

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 4 650 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 +€ 1,309€ 65,45

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
188-4878
Herst. Teile-Nr.:
SIHP22N60EF-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SiHP22N60EF

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

182mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.51mm

Höhe

9.01mm

Breite

4.65 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

ANWENDUNGEN

Server- und Telekommunikations-Netzteile

Schaltnetzteile (SNT)

Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Verwandte Links