Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 204-7246
Herst. Teile-Nr.:: SIHB125N60EF-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:: SIHB125N60EF-GE3
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Technische Daten des gezeigten Artikels

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	25A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	EF
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	125mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	31nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	179W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	4.06mm
	Länge	14.61mm
	Breite	9.65mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie EF
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 179W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 4.06mm
	Länge 14.61mm
	Breite 9.65mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHB125N60EF-GE3

Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 25 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB125N60EF-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Halbleitergerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Es ist für den Einsatz auf Oberflächenmontage an Stromversorgungen vorgesehen, bei denen eine robuste Spannungsverarbeitung und eine erhöhte Temperaturtoleranz erforderlich sind, und unterstützt Anwendungen, die hohe Spannungen und erhebliche Ströme in Automatisierungs- und elektrischen Systemen schalten.

Merkmale und Vorteile:

• 600 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit • 25 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 125 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • Typische Gate-Ladung von 31 nC minimiert den Energiebedarf des Antriebs • Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C unterstützt Umgebungen mit hohen Temperaturen

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungswechselrichterstufen in industriellen Antrieben • Ideal für Netzteile, die eine hohe Durchschlagsspannung erfordern • Wird mit Motorsteuerungen verwendet, die Dutzende Ampere verarbeiten • Kann zum Austausch von Relais bei Halbleiterschaltvorgängen verwendet werden • Wird für die Stromumwandlung in Automatisierungsgeräten verwendet

Welcher Gate-Spannungsbereich ist für das Schalten des Geräts sicher?

Das Gerät nimmt Gate-Spannungen bis zu 30 V auf und gibt das maximal zulässige Gate-to-Source-Potential für einen zuverlässigen Betrieb an.

Wie wirkt sich die Wahl des Gehäuses auf die thermische Leistung aus?

Das TO-263-Gehäuse bietet ein großes Wärmeleitpad und Leitungen für die Wärmeleitung, wodurch die Wärmeübertragung auf Leiterplattenkupfer und Kühlkörper unterstützt wird, um die Nennverlustleistung zu unterstützen.

Was sind die Umweltgrenzwerte für den Betrieb?

Die Komponente ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C spezifiziert und definiert die zulässigen Umgebungs- und Sperrschicht-Extreme für Entwurfsmargen.

Wie viele Stifte sind für das Leiterplatten-Layout verfügbar?

Das Teil verwendet drei Stifte, die die Grundfläche und die Anschlussanordnungen für Drain, Source und Gate auf der Leiterplatte bestimmen.