onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,9 A 1,5 W, 6-Pin WDFN

Dieses Gerät wurde speziell als Paketlösung für Dual-Switching-Anforderungen in Mobilgeräten und anderen ultraportablen Anwendungen entwickelt. Es verfügt über zwei unabhängige N-Kanal-MOSFETs mit geringem On-State-Widerstand für minimale Leitungsverluste. Der MicroFET 2x2 bietet aufgrund seiner physikalischen Größe eine außergewöhnliche thermische Leistung und eignet sich hervorragend für lineare Modusanwendungen.

2,9 A, 30 V
RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4,5 V
RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3,0 V.
RDS(ON) = 163 mΩ @ VGS = 2,5 V
Niedriges Profil - maximal 0,8 mm - im neuen Gehäuse MicroFET 2x2 mm
HBM ESD-Schutzstufe = 1,8 kV (Hinweis 3)
Frei von halogenierten Verbindungen und Antimonoxiden
Anwendungen
Dieses Produkt ist allgemein verwendbar und für viele verschiedene Anwendungen geeignet