DiodesZetex Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 10 A 2.14 W, 6-Pin WDFN

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RS Best.-Nr.:
921-1050
Herst. Teile-Nr.:
DMN2013UFX-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

WDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.14W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

8, -8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.8mm

Länge

2.1mm

Breite

5.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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