onsemi Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2.5 A 2.3 W, 6-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 124-5405
- Herst. Teile-Nr.:
- NTLJD4116NT1G
- Hersteller:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 124-5405
- Herst. Teile-Nr.:
- NTLJD4116NT1G
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 250mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.3W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -8V, +8V | |
| Durchlassspannung Vf | 780mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2mm | |
| Breite | 2mm | |
| Höhe | 750μm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.3W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -8V, +8V | ||
Durchlassspannung Vf 780mV | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2mm | ||
Breite 2mm | ||
Höhe 750μm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Dual-N-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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