onsemi Isoliert Typ N, Typ N, Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 700 mA 0.3 W, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:
166-1651
Herst. Teile-Nr.:
FDG6332C
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N, Typ P, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

700mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12V

Maximale Verlustleistung Pd

0.3W

Durchlassspannung Vf

-0.77V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Breite

1.25mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2mm

Höhe

1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Kfz-Dual-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


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