onsemi Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 510 mA 960 mW, 6-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 178-7608
Herst. Teile-Nr.:: NDC7001C
Hersteller:: onsemi

onsemi Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 510 mA 960 mW, 6-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 178-7608
Herst. Teile-Nr.:: NDC7001C
Hersteller:: onsemi

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ P, Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	510mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	10Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	1.1nC
	Betriebstemperatur min.	150°C
	Maximale Verlustleistung Pd	960mW
	Durchlassspannung Vf	0.8V
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Maximale Betriebstemperatur	-55°C
	Breite	1.7 mm
	Höhe	1mm
	Länge	3mm
	Normen/Zulassungen	No
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ P, Typ N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 510mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.1nC
	Betriebstemperatur min. 150°C
	Maximale Verlustleistung Pd 960mW
	Durchlassspannung Vf 0.8V
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Maximale Betriebstemperatur -55°C
	Breite 1.7 mm
	Höhe 1mm
	Länge 3mm
	Normen/Zulassungen No
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

NDC7001C, Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET)

Der NDC7001C ist ein zweifacher N- und P-Kanal-MOSFET mit DMOS-Technologie von ON Semi. DMOS sorgt für schnelles Schalten, Zuverlässigkeit und Betriebswiderstand. Diese MOSFETs sind ein SOT-23-Gehäusetyp mit 6 Stiften.

Eigenschaften und Vorteile:

• DMOS-Technologie

• Hoher Sättigungsstrom

• Zelldesign mit hoher Dichte

• Kupferkabelrahmen für überlegene thermische und elektrische Fähigkeiten

NDC7001C MOSFETs sind ideal für:

• Niederspannung

• Niedriger Strom

• Schalten

• Netzteile

Zweifach-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor

Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser enorme Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.