onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 50 V Erweiterung / 510 mA 960 mW, 6-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

€ 336,00

(ohne MwSt.)

€ 402,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 6 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +€ 0,112€ 336,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
178-7598
Herst. Teile-Nr.:
NDC7002N
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

510mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.8V

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

960mW

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1mm

Breite

1.7 mm

Länge

3mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser enorme Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links