onsemi Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 510 mA 960 mW, 6-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 761-4574
- Herst. Teile-Nr.:
- NDC7001C
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 510mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 960mW | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 510mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 960mW | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der NDC7001C ist ein zweifacher N- und P-Kanal-MOSFET mit DMOS-Technologie von ON Semi. DMOS sorgt für schnelles Schalten, Zuverlässigkeit und Betriebswiderstand. Diese MOSFETs sind ein SOT-23-Gehäusetyp mit 6 Stiften.
Eigenschaften und Vorteile:
• DMOS-Technologie
• Hoher Sättigungsstrom
• Zelldesign mit hoher Dichte
• Kupferkabelrahmen für überlegene thermische und elektrische Fähigkeiten
NDC7001C MOSFETs sind ideal für:
• Niederspannung
• Niedriger Strom
• Schalten
• Netzteile
Zweifach-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser enorme Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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