DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 3.4 A 1.27 W, 6-Pin TSOT

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RS Best.-Nr.:
822-2532
Herst. Teile-Nr.:
DMG6602SVT-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TSOT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

140mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.27W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

2.9mm

Normen/Zulassungen

J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101

Breite

1.6 mm

Höhe

0.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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