DiodesZetex Doppelt DMC3060 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.6 A 1.16 W, 6-Pin TSOT
- RS Stock No.:
- 206-0061
- Mfr. Part No.:
- DMC3060LVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
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Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOT | |
| Serie | DMC3060 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.16W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.6 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOT | ||
Serie DMC3060 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.16W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.9mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.6 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Der komplementäre 30-V-MOSFET für DiodesZetex-MOSFET mit paarweisen Anreicherungstyp wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Die Gate-Quellspannung beträgt 12 V mit einer thermischen Verlustleistung von 0,8 W.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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