onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V / 1 A 0.96 W, 6-Pin TSOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 186-8997
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC3601N
- Hersteller:
- onsemi
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TSOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 550mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.96W | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TSOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 550mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.96W | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Diese N-Kanal 100V spezifizierten MOSFETs werden mit einem Advanced PowerTrench Prozess produziert, der speziell auf die Minimierung des Einschaltresistenz und die Aufrechterhaltung einer niedrigen Gate-Ladung für eine überlegene Schaltleistung zugeschnitten wurde. Diese Geräte wurden entwickelt, um eine außergewöhnliche Verlustleistung bei sehr geringer Stellfläche für Anwendungen zu bieten, bei denen die größeren, teureren SO-8- und TSSOP-8-Pakete unpraktisch sind.
1,0 A, 100 V
RDS(on) = 500 mΩ @ VGS = 10 V
RDS(on) = 550 mΩ @ VGS = 6 V
Niedrige Gatterladung (typisch 3,7 nC)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige RDS(ON)
SuperSOT™-6-Gehäuse: Geringe Standfläche von 72 % (kleiner als Standard SO-8), niedrige Bauform (1 mm dick)
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
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