onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V / 1 A 0.96 W, 6-Pin TSOT-23

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RS Best.-Nr.:
186-8997
Herst. Teile-Nr.:
FDC3601N
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TSOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

550mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

0.96W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

3 mm

Höhe

1mm

Länge

3.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Diese N-Kanal 100V spezifizierten MOSFETs werden mit einem Advanced PowerTrench Prozess produziert, der speziell auf die Minimierung des Einschaltresistenz und die Aufrechterhaltung einer niedrigen Gate-Ladung für eine überlegene Schaltleistung zugeschnitten wurde. Diese Geräte wurden entwickelt, um eine außergewöhnliche Verlustleistung bei sehr geringer Stellfläche für Anwendungen zu bieten, bei denen die größeren, teureren SO-8- und TSSOP-8-Pakete unpraktisch sind.

1,0 A, 100 V

RDS(on) = 500 mΩ @ VGS = 10 V

RDS(on) = 550 mΩ @ VGS = 6 V

Niedrige Gatterladung (typisch 3,7 nC)

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige RDS(ON)

SuperSOT™-6-Gehäuse: Geringe Standfläche von 72 % (kleiner als Standard SO-8), niedrige Bauform (1 mm dick)

Anwendungen

Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.

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