onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 29 A 23 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 178-4470
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C478NLT1G
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Alternative
Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:
1 Stück (auf Rolle zu 1500)
€ 0,716
(ohne MwSt.)
€ 0,859
(inkl. MwSt.)
- RS Best.-Nr.:
- 178-4470
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C478NLT1G
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 29A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | 175°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 23W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.84V | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.1mm | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Betriebstemperatur min. 175°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 23W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.84V | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.1mm | ||
Breite 6.1 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion. Für Automobilanwendungen geeignet.
Merkmale
Niedriger Einschaltwiderstand
Hohe Strombelastbarkeit
PPAP-fähig
NVMFD5C478NLWF - Produkt mit benetzbaren Flanken
Vorteile
Minimale Leitungsverluste.
Robustes Lastverhalten
Schutz gegen Ausfälle durch Spannungsüberlastung
Für Automobilanwendungen geeignet
Verbesserte optische Prüfung
Anwendungen
Spulentreiber
Treiber für Niederspannungsseite/Hochspannungsseite
Endprodukte
Automobil-Motorsteuergeräte
Antiblockiersysteme
Verwandte Links
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt NVMFD5C446NL Typ N-Kanal 2 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2 8-Pin DFN