onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 70 A 50 W, 8-Pin DFN

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onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 70 A 50 W, 8-Pin DFN
RS Best.-Nr.
178-4297

1 Stück (auf Rolle zu 1500)

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(ohne MwSt.)

€ 0,977

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
178-4454
Herst. Teile-Nr.:
NVMFD5C462NT1G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

175°C

Durchlassspannung Vf

0.86V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Breite

6.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.1mm

Höhe

1.05mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion. Für Automobilanwendungen geeignet.

Merkmale

Niedriger Einschaltwiderstand

Hohe Strombelastbarkeit

Vorteile

Minimale Leitungsverluste.

Robustes Lastverhalten

Schutz gegen Ausfälle durch Spannungsüberlastung

Für Automobilanwendungen geeignet

Anwendungen

Spulentreiber

Treiber für Niederspannungsseite/Hochspannungsseite

Endprodukte

Automobil-Motorsteuergeräte

Antiblockiersysteme

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