Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 180 A 300 W, 7-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 178-7445
Herst. Teile-Nr.:: IPB010N06NATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 180 A 300 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:: 178-7445
Herst. Teile-Nr.:: IPB010N06NATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	180A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	OptiMOS 5
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	7
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	300W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	208nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	9.45mm
	Breite	4.57 mm
	Länge	10.31mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie OptiMOS 5
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 7
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 300W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 208nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 9.45mm
	Breite 4.57 mm
	Länge 10.31mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

IPB010N06N OptiMOS 3 Power Transistor

RoHS Status: Ausgenommen

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOSTM5

OptiMOSTM 5 60 V ist für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) optimiert, z. B. in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten. Darüber hinaus sind diese Geräte die perfekte Wahl für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen, einschließlich Motorsteuerung, Solar-Mikro-Wechselrichter und Schnellschalt-DC/DC-Wandler.

Zusammenfassung der Merkmale

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

40 % niedriger R _DS(on) als alternative Geräte

40 % Verbesserung der FOM gegenüber ähnlichen Geräten

RoHS-konform – halogenfrei

MSL1-Zulassung

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

100 % Lawinengeprüft

Überlegene Wärmebeständigkeit

N-Kanal, Normalpegel

Qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen

Bleifreie Kabelbeschichtung; RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Vorteile

Höchste Systemeffizienz

Weniger Parallelen erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Reduzierung der Systemkosten

Sehr niedrige Spannungsüberschreitung

Anwendungsmöglichkeiten

Synchrone Gleichrichtung

Solar-Mikro-Wechselrichter

Isolierte DC/DC-Wandler

Motorsteuerung für 12-48-V-Systeme

Or-ing-Schalter

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.