onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 48 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 178-4258
- Herst. Teile-Nr.:
- NTPF082N65S3F
- Hersteller:
- onsemi
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- NTPF082N65S3F
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- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 82mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.63mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Höhe | 16.12mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 82mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.63mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.9 mm | ||
Höhe 16.12mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features
700 V @ TJ = 150 oC
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 70 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 680 pF)
Optimized Capacitance
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Typ. RDS(on) = 70 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge Circuit
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products
Telecom power
Server power
Solar / UPS
EV charger
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