onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 192 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
189-0372
Herst. Teile-Nr.:
NTP150N65S3HF
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

192W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.7 mm

Höhe

16.3mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

SuperFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für die verschiedenen Stromversorgungssysteme für Miniaturisierung und höhere Effizienz. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Gehäusediode des SuperFET III FRFET MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.

700 V bei TJ = 150 °C

Ultraniedrige Gatterladung (typ. QG = 43 nC)

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. COSS(eff.) = 400 pF)

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Ausgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse)

Optimierte Kapazität

Typ. RDS(on) = 121 mΩ

Geringere Schaltverluste

Geringere Schaltverluste

Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in Brückenschaltung

Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation

Anwendungen

Telekommunikation

Cloud-System

Industriell

Endprodukte

Stromversorgung Telekommunikation

Stromversorgung Server

EV-Ladegerät

Solar/UPS

Verwandte Links