Toshiba N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (5000 Stück, auf einer Rolle mit 5000)*

€ 3.075,00

(ohne MwSt.)

€ 3.690,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 10. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 - 5000€ 0,615€ 3.075,00
10000 +€ 0,568€ 2.840,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
171-2206
Herst. Teile-Nr.:
TPN14006NH,L1Q(M
Hersteller:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

30W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.1mm

Höhe

850μm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.1mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

SchaltspannungsreglerMotortreiberDC/DC-WandlerHochgeschwindigkeitsschaltenGeringe Gate-Ladung: QSW = 5,5 nC (typ.)Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 11 Ω (typ.)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 60 V)Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.