Toshiba TPHR8504PL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 150 A 170 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 206-9797
- Herst. Teile-Nr.:
- TPHR8504PL,L1Q(M
- Hersteller:
- Toshiba
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 13,34
(ohne MwSt.)
€ 16,01
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 3 685 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,668 | € 13,34 |
| 50 - 495 | € 2,072 | € 10,36 |
| 500 - 995 | € 1,726 | € 8,63 |
| 1000 - 2495 | € 1,682 | € 8,41 |
| 2500 + | € 1,642 | € 8,21 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-9797
- Herst. Teile-Nr.:
- TPHR8504PL,L1Q(M
- Hersteller:
- Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Serie | TPHR8504PL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 103nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Länge | 6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Serie TPHR8504PL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 103nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.9mm | ||
Länge 6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Toshiba Silizium-N-Kanal-MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften. Er wird hauptsächlich in hocheffizienten DC/DC-Wandlern, Schaltreglern und Motortreibern eingesetzt.
Niedriger Durchlasswiderstand der Drain-Quelle 0,7 m?
Lagertemperatur: -55 bis 175 °C.