Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 168 A 2.5 W, 8-Pin SOP

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 3,40

(ohne MwSt.)

€ 4,10

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 0,68€ 3,40
50 - 495€ 0,596€ 2,98
500 - 995€ 0,528€ 2,64
1000 - 2495€ 0,476€ 2,38
2500 +€ 0,466€ 2,33

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
236-3629
Herst. Teile-Nr.:
TPH2R608NH,L1Q(M
Hersteller:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

168A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

SOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.6mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

72nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6mm

Breite

5 mm

Höhe

0.95mm

Automobilstandard

Nein

Der Toshiba MOSFET besteht aus Siliziummaterial und hat einen N-Kanal-MOS-Typ. Er wird hauptsächlich in hocheffizienten DC/DC-Wandlern und Schaltspannungsregleranwendungen eingesetzt.

Hochgeschwindigkeitsschalten

Verwandte Links